本報(bào)株洲6月21日電 （記者侯琳良）6月20日，國(guó)內(nèi)首個(gè)自主研發(fā)生產(chǎn)的“001號(hào)”8英寸IGBT專業(yè)芯片，在中國(guó)南車株洲所下線，并移交中國(guó)科技館收藏。據(jù)透露，這條國(guó)內(nèi)首條、世界上第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將于今年下半年投產(chǎn)。它的投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)開(kāi)始打破英飛凌、ABB、三菱等國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。
IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。它是電力電子器件中技術(shù)最為先進(jìn)、應(yīng)用最為廣泛的第三代器件。與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)（CPU）一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，能控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平。
據(jù)介紹，由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統(tǒng)裝置廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)等家用電器，以及軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、新能源、電動(dòng)汽車等高端產(chǎn)業(yè)，特別是在涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，高功率等級(jí)的IGBT尤為關(guān)鍵。
據(jù)悉，這條8英寸IGBT專業(yè)芯片線首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，年產(chǎn)值有望實(shí)現(xiàn)20億元，未來(lái)將有望實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口IGBT的全面替代。
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